第三代半导体材料兴起 将催生新产业群

　　该材料的相关研究和突破，将催生新的产业群，我国今年以来启动了一系列重大研究项目

　　在刚结束的中国（东莞）国际科技合作周上举行了第三代半导体国际发展论坛，专家认为，第三代半导体材料的研究和突破将推动新的技术革命和产业变革，甚至催生新的产业群，已成为各国争相发展的高端技术热点。

　　我国也十分重视第三代半导体材料的技术研发，而就在东莞，包括北京大学东莞光电研究院、天域半导体等创新平台和企业都将该技术引入，并且已经在关键技术上实现突破，在LED等领域实现了产业化应用，技术和产业化成果受到业界关注。

　　各国争相布局发力技术研发

　　以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等为代表的第三代半导体材料在信息存储、照明显示、电力电子以及医疗和军事等领域有着广阔的应用前景。因此，第三代半导体材料及器件不仅可促使上千亿美元相关设备市场和相关的新产业的形成，还将在能源节约、电能利用率等方面具有重大意义。

　　在美国，其推出了WBG(宽禁带)半导体电力电子器件的制造、GaN/SiC基底电力电子及LED照明组件与系统的生产和设计、以及GaN在射频领域的应用等多个战略项目的开发，而且提出这些战略的时间非常早，目前已在LED照明和军事等多个领域应用。

　　日本在过去的两年中发展方向有所转变，很多公司转向成为专门生产GaN的企业。因为600V-1200V大功率器件已成为规模最大的市场，而GaN在这一区间内有着十分优异的表现，而且技术的进步使得GaN功率器件的成本大幅度降低，企业只需通过对现有设备进行调整便可实现生产的转型和升级。

　　我国政府也高度重视第三代半导体材料的研究与开发，从2004年开始对第三代半导体领域的研究进行了部署，启动了一系列重大研究项目，2013年科技部在“863计划”新材料技术领域项目征集指南中明确将第三代半导体材料及应用列为重要内容。